| 主权项 |
一种化合物半导体制造装置，系利用有机金属气相沉积法来形成化合物半导体层，其特征为具有：反应容器；原料供应口，从外部对前述反应容器内供应前述化合物半导体之原料气体；支撑体，配置于前述反应容器内，以被形成体之被形成面朝上之方式支撑该被形成体；以及相对构件，配置于获得前述支撑体支撑之前述被形成体的上方，于与前述被形成面相对且直接对面的相对面，形成着凹凸；排气构件；前述原料供应口则在设于前述相对构件之贯通孔加以构成，于前述相对构件之前述相对面，从内侧朝向外侧，且具有连续性之凹部所成之沟，系令前述贯通孔为中心，呈放射状而复数形成，前述沟之始点之位置系位在相较于保持于相对之前述支持体之前述被形成体之内侧端部之移动轨迹靠中心部侧，且该沟之终点之位置系位在相较于保持于相对之该支持体之该被形成体之外侧端部之移动轨迹靠外侧，复数之沟之各别之终点位置系较排气构件之内侧端部之位置，更位于中心部侧者。
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