| 主权项 |
一种包封膜形成方法，包括：传送一气体混合物至一处理室中，该气体混合物包括一含矽气体、一第一含氮气体、一第二含氮气体以及氢气；施加介于约0.350瓦(watts)/平方公分至约0.903瓦/平方公分之能量至一气体分配板组件，以提供能量至该处理室中的该气体混合物，该气体分配板组件与位于该处理室中之一基板上的间隔约800密耳(mils)至约1800密耳；于介于约0.5托耳(Torr)至约3.0托耳之间的压力下，维持该处理室中之该被提供能量之气体混合物；以及在该被提供能量之气体混合物存在之下，沉积一无机包封膜至该基板上的一有机介电层上。
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