| 摘要 |
Способ обработки поверхности посредством диэлектрического барьерного разряда (ДБР), включающий следующие операции: подачу или прохождение подложки в реакционную камеру (2), где расположены по меньшей мере два электрода (10, 12) и по меньшей мере один противоэлектрод (13, 14, 15), при этом между указанными по меньшей мере двумя электродами (10, 12) и указанным по меньшей мере одним противоэлектродом (13, 14, 15) помещен диэлектрический барьер (16); подключение индуктивности (L, L) последовательно с каждым из указанных электродов (10, 12), при этом указанные индуктивности (L, L) намотаны на общий магнитный сердечник таким образом, чтобы результирующий магнитный поток этих двух индуктивностей являлся нулевым, когда в двух электродах (10, 12) циркулируют одинаковые токи; генерирование высокочастотного электрического напряжения такой величины, чтобы оно вызывало генерирование плазмы между по меньшей мере двумя электродами (10, 12) и по меньшей мере одним противоэлектродом (13, 14, 15); подачу в реакционную камеру смеси, состав которой таков, что при контакте с плазмой она разрушается и образует вещества, способные реагировать с поверхностью подложки (4). |
