发明名称 Halbleitervorrichtung mit elektrostatischer Entladungsschutzstruktur
摘要 Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin eine erste Isolationsschicht auf der ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers und eine elektrostatische Entladungsschutzstruktur auf der ersten Isolationsschicht. Die elektrostatische Entladungsschutzstruktur hat einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin eine Wärmeverbrauchsstruktur, die ein erstes Ende in Kontakt mit der elektrostatischen Entladungsschutzstruktur und ein zweites Ende hat, das in direktem Kontakt mit einem elektrisch isolierendem Bereich ist.
申请公布号 DE102014105790(A1) 申请公布日期 2015.10.29
申请号 DE201410105790 申请日期 2014.04.24
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH 发明人 WEYERS, JOACHIM;HIRLER, FRANZ;MAUDER, ANTON;SCHMITT, MARKUS
分类号 H01L23/60;H01L29/739;H01L29/78 主分类号 H01L23/60
代理机构 代理人
主权项
地址