| 摘要 |
<p>Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium. Die Vorrichtung umfasst einen Teller mit einer Oberseite, die einen äußeren Rand und einen inneren Rand aufweist, mit einer zentralen Öffnung, die an den inneren Rand angrenzt, und mit einem Rohr, das sich von der zentralen Öffnung bis unterhalb einer Rückseite des Tellers erstreckt; eine Einrichtung zum Dosieren von körnigem Silizium auf die Oberseite des Tellers; eine erste Induktionsheizspule Silizium, die über dem Teller angeordnet und zum Schmelzen des abgelegten körnigen Siliziums vorgesehen ist; eine zweite Induktionsheizspule, die unter dem Teller angeordnet und zum Stabilisieren einer Schmelze aus Silizium vorgesehen ist, wobei sich die Schmelze auf einem wachsenden Einkristall aus Silizium befindet. Die Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Oberseite des Tellers aus keramischem Material besteht und Erhebungen aufweist, wobei der Abstand zwischen den Mitten benachbarter Erhebungen in radialer Richtung nicht weniger als 2 mm und nicht mehr als 15 mm ist.</p> |
