一种芯片级可焊陶瓷热沉的制备方法

摘要

本发明公开了一种芯片级可焊陶瓷热沉的制备方法，步骤为：A、清洗烘干氧化铝或氮化铝陶瓷基片；B、将步骤A所得到的产品蒸发沉积Ti/Pt/Au过渡层；C、将步骤B所得的产品进行光刻处理，所述的光刻处理包括印刷光刻胶、前烘、曝光、显影、清洗、后烘过程，所述的光刻胶的厚度是2～20μm；D、将步骤C所得的产品进行金锡合金层的镀膜，所述的金锡合金的质量比为1：9至9：1，所述金锡合金层的厚度是2～8μm；E、将步骤D所得的产品进行共晶热处理和去光刻胶处理;F、将步骤E得到的产品进行切割分离，即可得芯片级可焊陶瓷热沉。该陶瓷热沉适用于半导体芯片散热需求，且封装热传导率是现有产品的20到100倍。

主权项

一种芯片级可焊氧化铝或氮化铝陶瓷热沉的制备方法，步骤为：A、清洗烘干氧化铝或氮化铝陶瓷基片；B、将步骤A所得到的产品蒸发沉积Ti/Pt/Au过渡层；C、将步骤B所得的产品进行光刻处理，所述的光刻处理包括印刷光刻胶、前烘、曝光、显影、清洗、后烘过程，所述的光刻胶的厚度是2～20μm；所述印刷光刻胶是指采用丝网印刷的方式将光刻胶印刷到基片上，前烘温度为70～150 ℃，时间为5～20min；显影的时间为20～200s；清洗的时间为20～200s；后烘的温度为70～150℃，时间为5～30s；D、将步骤C所得的产品进行金锡合金层的镀膜，所述的金锡合金的质量比为1：9至9：1，所述金锡合金层的厚度是2～8μm；E、将步骤D所得的产品进行共晶热处理和去光刻胶处理; 所述共晶热处理的温度采用的是250～330℃，时间为3～10min；所述去光刻胶是采用的重量百分浓度为1～10%的氢氧化钠水溶液，水浴90～100℃，加热2～6min；F、将步骤E得到的产品进行切割分离，即可得芯片级可焊陶瓷热沉;所述步骤B蒸发沉积Ti/Pt/Au过渡层，Ti层的厚度为0.05～0.5μm，Pt的厚度为0.1～0.7μm，Au的厚度为0.2～0.8μm。