| 主权项 |
1.一种多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,该多晶矽膜系沉积于渠沟上,包含下列步骤:准备一半导体结构;涂布一光阻膜于该半导体结构上;形成一第一图案于一光罩上,该第一图案系延伸于一第一方向,且具有相对之第一侧与第二侧;形成一第二图案于该光罩上,该第二图案系延伸于一第二方向,该第二方向系垂直于该第一方向,且该第二图案之一端连接于该第一图案之第一侧;形成一凹口于该第二侧上,此凹口实质上正对该第二图案;使用该光罩,以曝光该光阻膜;显影该光阻膜,以形成一图案化光阻膜;以及使用该图案化光阻膜作为遮罩,选择性蚀刻该半导体结构,以形成一渠沟于该半导体结构中。2.如申请专利范围第1项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该第一图案具有一公称宽度,并且该凹口之深度实质上为该公称宽度之一半。3.如申请专利范围第1项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,更包含下列步骤:在形成该第二图案之后,于该第一图案与该第二图案所形成之二个交角上,分别形成第一填角与第二填角。4.如申请专利范围第1或2项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该凹口之形状系三角形。5.如申请专利范围第1或2项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该凹口之形状系半圆形。6.如申请专利范围第1或2项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该凹口之形状系矩形。7.如申请专利范围第2项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该第一图案之该公称宽度小于该第二图案之宽度。8.如申请专利范围第7项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该第一图案之该公称宽度实质上等于该第二图案之该宽度之一半。9.如申请专利范围第1项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该半导体结构系一多层结构。10.如申请专利范围第9项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该多层结构包含:一垫氧化矽膜,形成于一半导体基板上;一氮化矽膜,形成于该垫氧化矽膜上;一遮罩氧化矽膜,形成于该氮化矽膜上。11.如申请专利范围第10项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该半导体基板系由矽所形成。12.一种多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,该多晶矽膜系沉积于一渠沟上,包含下列步骤:准备一半导体结构;涂布一光阻膜于该半导体结构上;形成一第一图案于一光罩上,该第一图案系延伸于一第一方向,且具有相对之第一侧与第二侧;形成一第二图案于该光罩上,该第二图案系延伸于一第二方向,该第二方向系垂直于该第一方向、该第二图案之一端连接于该第一图案之第一侧、并且该第二图案之宽度大于该第一图案之宽度;使用该光罩,以曝光该光阻膜;显影该光阻膜,以形成一图案化光阻膜;以及使用该图案化光阻膜作为遮罩,选择性蚀刻该半导体结构,以形成一渠沟于该半导体结构中。13.如申请专利范围第12项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该第一图案之该宽度实质上等于该第二图案之该宽度之一半。14.如申请专利范围第12项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,更包含下列步骤:在形成该第二图案之后,形成一凹口于该第二侧上,此凹口实质上正对该第二图案。15.如申请专利范围第14项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该凹口之深度实质上为该第一图案之该宽度之一半。16.如申请专利范围第12项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,更包含下列步骤:在形成该第二图案之后,于该第一图案与该第二图案所形成之二个交角上,分别形成第一填角与第二填角。17.如申请专利范围第14或15项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该凹口之形状系三角形。18.如申请专利范围第14或15项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该凹口之形状系半圆形。19.如申请专利范围第14或15项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该凹口之形状系矩形。20.如申请专利范围第12项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该半导体结构系一多层结构。21.如申请专利范围第20项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该多层结构包含:一垫氧化矽膜,形成于一半导体基板上;一氮化矽膜,形成于该垫氧化矽膜上;一遮罩氧化矽膜,形成于该氮化矽膜上。22.如申请专利范围第21项之多晶矽膜中之凹坑现象之改善方法,其中该半导体基板系由矽所形成。图式简单说明:第一图系显示一半导体结构之剖面图;第二图(A)系显示先前技术之光罩的渠沟图案之平面图,而第二图(B)系显示经由曝光与显影后,先前技术之图案化光阻膜之平面图;第三图(A)系显示在非等向性蚀刻后,沿着第二图(B)中线A-A'之渠沟结构之剖面图,而第三图(B)系显示在非等向性蚀刻后,沿着第二图(B)中线B-B'之渠沟结构之剖面图;第四图(A)系显示多晶矽膜沉积完成后,沿着第二图(B)中线A-A'之渠沟结构之剖面图,而第四图(B)系显示多晶矽膜沉积完成后,沿着第二图(B)中线B-B'之渠沟结构之剖面图;第五图(A)系显示回蚀多晶矽膜后,沿着第二图(B)中线A-A'之渠沟结构之剖面图,而第五图(B)系显示回蚀多晶矽膜后,沿着第二图(B)中线B-B'之渠沟结构之剖面图;第六图(A)系显示移除遮罩氧化矽膜后,沿着第二图(B)中线A-A'之渠沟结构之剖面图,而第六图(B)系显示移除遮罩氧化矽膜后,沿着第二图(B)中线B-B'之渠沟结构之剖面图;第七图(A)系显示依据本发明第一实施例之光罩的渠沟图案之平面图,而第七图(B)系显示经由曝光与显影后,依据本发明第一实施例之图案化光阻膜之平面图;第八图(A)系显示依据本发明第二实施例之光罩的渠沟图案之平面图,而第八图(B)系显示经由曝光与显影后,依据本发明第二实施例之图案化光阻膜之平面图;以及第九图(A)系显示依据本发明第三实施例之光罩的渠沟图案之平面图,而第九图(B)系显示经由曝光与显影后,依据本发明第三实施例之图案化光阻膜之平面图。 |
