| 发明名称 | 一种有机DAST晶体的表面清洗工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有机DAST晶体的表面清洗工艺。该清洗工艺流程为：1、将DAST晶体置于由按体积比70%～95%乙酸乙酯和5%～30%异丙醇配制的清洗剂中，超声清洗10～30s；2、将DAST晶体置于由按体积比76%～98%无水乙醇和2%～24%四氢呋喃配制的清洗剂中，超声清洗10～30s；3、将DAST晶体置于甲醇溶液中，超声清洗2～8s；4、将清洗干净的DAST晶体在45～55℃条件下，真空干燥15～30min。采用本工艺能够有效地清除DAST晶体表面的杂质，尤其是能彻底清洗DAST晶体表面因吸水而变色的表层，且易挥发，可得到洁净干燥的晶体表面。 | ||
| 申请公布号 | CN104998860A | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201510414545.1 | 申请日期 | 2015.07.15 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 发明人 | 武聪;孟大磊;庞子博;徐永宽;程红娟 |
| 分类号 | B08B3/08(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;C07D213/38(2006.01)I;F26B5/04(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人 | 王凤英 |
| 主权项 | 一种有机DAST晶体的表面清洗工艺，其特征在于，该清洗工艺流程为：第一步.将DAST晶体置于由按体积比70%～95%乙酸乙酯和5%～30%异丙醇配制的清洗剂中，超声清洗10s～30s，清洗DAST晶体表面的粉体颗粒杂质；第二步.将DAST晶体置于由按体积比76%～98%无水乙醇和2%～24%四氢呋喃配制的清洗剂中，超声清洗10s～30s，清除DAST晶体因吸水变色的表面；第三步.将DAST晶体置于甲醇溶液中，超声清洗2s～8s，清除DAST晶体表面沾染的清洗剂，得到洁净的晶体表面；第四步.将清洗干净的DAST晶体在45℃～55℃条件下，真空干燥15min～30min。 | ||
| 地址 | 300220 天津市河西区洞庭路26号 | ||