发明名称 制造喷嘴板的方法
摘要 本发明公开了一种制造喷嘴板的方法,所述方法包括:掩膜图案层形成步骤,相对于由具有(111)表面取向的第一硅衬底和具有(100)表面取向的第二硅衬底构成的叠层衬底,在所述第二硅衬底上形成框状掩膜图案层;在所述第一硅衬底中形成所述喷嘴的直线部的非贯通孔形成步骤;在未覆盖有所述掩膜图案层的所述第二硅衬底上的第一部分上和限定所述非贯通孔的所述第一和第二硅衬底的内表面上形成保护膜的保护膜形成步骤;以及对所述第二硅衬底进行各向异性蚀刻以形成由通过所述各向异性蚀刻而暴露在所述第二硅衬底中的{111}表面所限定的所述喷嘴的锥形部的各向异性蚀刻步骤。
申请公布号 CN103302987B 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201310080906.4 申请日期 2013.03.14
申请人 富士胶片株式会社 发明人 高桥秀治
分类号 B41J2/16(2006.01)I 主分类号 B41J2/16(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 舒雄文;王英
主权项 一种制造喷嘴板的方法,包括:掩膜图案层形成步骤,相对于具有第一硅衬底和第二硅衬底顺序堆叠在氧化膜的表面上的结构的叠层衬底,在所述第二硅衬底上形成框状掩膜图案层,所述框状掩膜图案层具有位于将要形成喷嘴的位置处的第一开口部,所述第一硅衬底具有(111)表面取向,所述第二衬底具有(100)表面取向;非贯通孔形成步骤,通过形成从所述第一开口部穿过所述第二硅衬底和所述第一硅衬底直到所述氧化膜的所述表面的非贯通孔来形成所述第一硅衬底中的所述喷嘴的直线部;保护膜形成步骤,在未覆盖有所述掩膜图案层的所述第二硅衬底上的第一部分上和在限定所述非贯通孔的所述第一和第二硅衬底的内表面上形成保护膜;掩膜图案层去除步骤,从所述第二硅衬底去除所述掩膜图案层,并且暴露出由所述掩膜图案层覆盖的所述第二硅衬底的第二部分;各向异性蚀刻步骤,使用所述保护膜作为掩膜,从所述第二部分直到到达所述第一硅衬底对所述第二硅衬底执行各向异性蚀刻,以形成所述喷嘴的锥形部,所述锥形部由通过所述各向异性蚀刻而在所述第二硅衬底中暴露出的{111}表面限定,所述锥形部与所述直线部连接并且朝向所述直线部逐渐变窄;保护膜去除步骤,去除所述保护膜;以及开口暴露步骤,在与所述氧化膜相邻的所述第一硅衬底侧暴露出所述直线部的开口,其中,通过调节所述第一硅衬底的厚度来指定所述直线部的长度。
地址 日本东京