氮化物半导体发光元件

摘要

本发明提供具有优异的发光效率的氮化物半导体深紫外发光元件。一种氮化物半导体发光元件，该氮化物半导体发光元件具有200～300nm的发光波长，其具有：由单一层或带隙不同的多个层形成的n型层、由单一层或带隙不同的多个层形成的p型层、以及在n型层与p型层之间配设的活性层；p型层具有p型第一层，该p型第一层具有与在n型层内具有最小带隙的n型第一层的带隙相比更大的带隙；并且，在活性层与p型第一层之间设置有电子阻挡层，该电子阻挡层具有比形成活性层以及p型层的层的带隙都大的带隙。

主权项

一种氮化物半导体发光元件，所述氮化物半导体发光元件具有200～300nm的发光波长，其特征在于，其具有：由单一层或带隙不同的多个层形成的n型层、由单一层或带隙不同的多个层形成的p型层、以及配设在所述n型层与所述p型层之间的活性层，所述p型层具有p型第一层，该p型第一层具有与在所述n型层内具有最小带隙的n型第一层的带隙相比更大的带隙，并且在所述活性层与所述p型第一层之间设置有电子阻挡层，该电子阻挡层具有比形成所述活性层以及所述p型层的层的带隙都大的带隙。