发明名称 |
MEMS器件及其形成方法 |
摘要 |
一种方法,包括在衬底的正面上形成微电子机械系统(MEMS)器件。在形成MEMS器件的步骤之后,在衬底中形成穿透开口,其中从衬底的背面形成穿透开口。用介电材料填充穿透开口,该介电材料使衬底的第一部分与衬底的第二部分隔离。在衬底的背面上形成电连接件。通过衬底的第一部分将电连接件电连接至MEMS器件。本发明还提供一种MEMS器件。 |
申请公布号 |
CN103130174B |
申请公布日期 |
2015.10.28 |
申请号 |
CN201210082544.8 |
申请日期 |
2012.03.26 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
李德浩;谢元智 |
分类号 |
B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律师事务所 11306 |
代理人 |
陆鑫;房岭梅 |
主权项 |
一种形成半导体器件的方法,包括:在衬底的正面上形成微电子机械系统(MEMS)器件;在形成所述MEMS器件的步骤之后,从所述衬底的背面蚀刻穿透开口,从而将所述衬底分隔成第一部分与第二部分;用介电材料填充所述穿透开口,其中所述介电材料使所述第一部分与所述第二部分隔离;以及在所述衬底的背面上形成电连接件,其中,所述电连接件通过所述第一部分电连接至所述MEMS器件;其中,所述穿透开口形成环绕所述衬底的所述第一部分的环,其中,在用所述介电材料填充所述穿透开口的步骤之后,所述介电材料的一部分覆盖所述衬底的所述第一部分的背面,并且其中,所述方法还包括去除所述介电材料的所述部分,从而暴露出所述衬底的所述第一部分的所述背面。 |
地址 |
中国台湾新竹 |