发明名称 MEMS器件及其形成方法
摘要 一种方法,包括在衬底的正面上形成微电子机械系统(MEMS)器件。在形成MEMS器件的步骤之后,在衬底中形成穿透开口,其中从衬底的背面形成穿透开口。用介电材料填充穿透开口,该介电材料使衬底的第一部分与衬底的第二部分隔离。在衬底的背面上形成电连接件。通过衬底的第一部分将电连接件电连接至MEMS器件。本发明还提供一种MEMS器件。
申请公布号 CN103130174B 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201210082544.8 申请日期 2012.03.26
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 李德浩;谢元智
分类号 B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/00(2006.01)I
代理机构 北京德恒律师事务所 11306 代理人 陆鑫;房岭梅
主权项 一种形成半导体器件的方法,包括:在衬底的正面上形成微电子机械系统(MEMS)器件;在形成所述MEMS器件的步骤之后,从所述衬底的背面蚀刻穿透开口,从而将所述衬底分隔成第一部分与第二部分;用介电材料填充所述穿透开口,其中所述介电材料使所述第一部分与所述第二部分隔离;以及在所述衬底的背面上形成电连接件,其中,所述电连接件通过所述第一部分电连接至所述MEMS器件;其中,所述穿透开口形成环绕所述衬底的所述第一部分的环,其中,在用所述介电材料填充所述穿透开口的步骤之后,所述介电材料的一部分覆盖所述衬底的所述第一部分的背面,并且其中,所述方法还包括去除所述介电材料的所述部分,从而暴露出所述衬底的所述第一部分的所述背面。
地址 中国台湾新竹
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