发明名称 钕离子敏化上转换纳米晶新用途及高分辨多光子显微系统
摘要 本发明公开了一种钕离子敏化上转换纳米晶新用途及高分辨多光子显微系统。钕离子敏化上转换纳米材料可以由中心波长<800nm的短波长稳态激光激发产生多光子可见光,具有更大的多光子吸收截面和多光子饱和激发功率,更易于进行高阶多光子成像,该新特性用于多光子显微成像中可以大幅降低系统的成本,显著提高显微成像分辨率。该多光子显微成像系统包括中心波长<800nm的短波长稳态激光器,其样品采用钕离子敏化的上转换纳米材料。本发明首次提出利用短波长稳态激光器,构建廉价又简便的多光子显微系统,提出利用钕离子敏化上转换发光性质的纳米材料进行超高分辨率的多光子显微成像,该材料也可引入细胞、组织或其他基质中进行高分辨率生物成像。
申请公布号 CN105004704A 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201510400885.9 申请日期 2015.07.09
申请人 华南师范大学 发明人 詹求强;赵宇翔;王保举
分类号 G01N21/64(2006.01)I 主分类号 G01N21/64(2006.01)I
代理机构 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人 刘巧霞
主权项 钕离子敏化的上转换纳米材料在多光子显微成像中的用途,其特征在于,所述钕离子敏化的上转换纳米材料由中心波长<800nm的稳态连续激光激发,在得到的多光子荧光光谱中,多光子发射峰均在可见光范围内。
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