| 发明名称 | 等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)源 | ||
| 摘要 | 一个实施方案是关于一种等离子体源，所述等离子体源包括其中形成空腔的主体和设置于所述空腔内的至少两个自含式磁控管组件。所述磁控管组件彼此并且与所述主体互相电绝缘。在此类实施方案的一种实现方式中，所述自含式磁控管组件包括闭合漂移磁控管组件。公开了其它实施方案。 | ||
| 申请公布号 | CN105008585A | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201380068267.8 | 申请日期 | 2013.12.23 |
| 申请人 | 零件喷涂公司 | 发明人 | D.T.克罗利;P.L.摩斯;W.A.小梅雷迪思;J.R.格尔曼;M.L.尼亚尔 |
| 分类号 | C23C16/50(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;刘春元 |
| 主权项 | 一种等离子体源，其包括：其中形成空腔的主体；和设置于所述空腔内的至少两个自含式磁控管组件；其中所述磁控管组件彼此并且与所述主体互相电绝缘。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||