| 发明名称 | 一种用于半导体器件材料反射率的光学测量方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于半导体器件材料反射率的光学测量方法，对于单一材料利用能量计分别测量入射于被测表面的入射光能量E<sub>1</sub>和经被测表面反射的反射光能量E<sub>1</sub>’后，计算获得在空气中的半导体器件材料反射率R<sub>1</sub>＝E<sub>1</sub>’/E<sub>1</sub>，对于双层材料分别测量两种相接触的材料在空气中的反射率r<sub>1</sub>和r<sub>2</sub>后，根据材料界面处反射率公式<img file="DDA0000764373450000011.GIF" wi="226" he="118" />和<img file="DDA0000764373450000012.GIF" wi="231" he="119" />计算获得两种材料的折射率n<sub>1</sub>和n<sub>2</sub>，其中n<sub>3</sub>表示空气的折射率，进而计算获得两种材料接触面处的反射率<img file="DDA0000764373450000013.GIF" wi="257" he="117" />上述光学测量方法弥补了当前反射率测量方法仅限于平行光的问题，能够实现对不同聚焦程度光束的反射率测量。 | ||
| 申请公布号 | CN105004697A | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201510432217.4 | 申请日期 | 2015.07.21 |
| 申请人 | 中国科学院国家空间科学中心 | 发明人 | 封国强;马英起;韩建伟;上官士鹏;朱翔;陈睿 |
| 分类号 | G01N21/55(2014.01)I | 主分类号 | G01N21/55(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人 | 王宇杨;王敬波 |
| 主权项 | 一种用于半导体器件材料反射率的光学测量方法，其特征在于，包括：步骤1）判断置于空气中的半导体器件被测表面的材料表层是否单一，如果材料表层单一执行步骤2），否则执行步骤3）；步骤2）利用能量计分别测量入射于被测表面的入射光能量E<sub>1</sub>和经被测表面反射的反射光能量E<sub>1</sub>’后，计算获得在空气中的半导体器件材料反射率R<sub>1</sub>=E<sub>1</sub>’/E<sub>1</sub>；步骤3）分别测量两种相接触的材料在空气中的反射率r<sub>1</sub>和r<sub>2</sub>后，根据材料界面处反射率公式<img file="FDA0000764373420000011.GIF" wi="233" he="117" />和<img file="FDA0000764373420000012.GIF" wi="233" he="117" />计算获得两种材料的折射率n<sub>1</sub>和n<sub>2</sub>，其中n<sub>3</sub>表示空气的折射率；步骤4）利用步骤3）中获得的两种材料的折射率n<sub>1</sub>和n<sub>2</sub>，计算获得两种材料接触面处的反射率<img file="FDA0000764373420000013.GIF" wi="258" he="119" /> | ||
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