发明名称 |
发光组件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一发光组件的制作方法,包含:提供一基板;形成一第一布拉格反射结构在该基板之上;形成一第二布拉格反射结构于第一布拉格反射结构之上;形成一发光结构于第二布拉格反射结构之上;形成一窗户层于发光结构之上;形成一电流散布层于窗户层之上;提供一湿氧制程系统;分别形成一氧化区域于第一布拉格反射结构与第二布拉格反射结构,其中氧化区域是在湿氧制程系统中反应而成;及形成一电极于电流散布层之上。 |
申请公布号 |
CN102832296B |
申请公布日期 |
2015.10.28 |
申请号 |
CN201110162922.9 |
申请日期 |
2011.06.16 |
申请人 |
晶元光电股份有限公司 |
发明人 |
马少崑;郭宗泰;赖韩棕;李宜青;金明达 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陈小雯 |
主权项 |
一种发光组件的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:提供一基板;形成一第一布拉格反射结构位于该基板之上,其中所述第一布拉格反射结构由多个第一半导体层与多个第二半导体层交互堆栈所形成;形成一第二布拉格反射结构位于所述第一布拉格反射结构之上,其中所述第二布拉格反射结构由多个第三半导体层与多个第四半导体层交互堆栈所形成,且所述第二布拉格反射结构的组成材料和所述第一布拉格反射结构的组成材料不同;形成一发光结构位于所述第二布拉格反射结构之上;形成一窗户层位于所述发光结构之上;形成一电流散布层位于所述窗户层之上;进行一湿氧制程,以使所述第一布拉格反射结构与所述第二布拉格反射结构分别形成一氧化区域;形成一电极于所述电流散布层之上。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行五路5号 |