| 发明名称 | 半导体覆晶接合结构及方法 | ||
| 摘要 | 本发明关于一种半导体覆晶接合结构及方法。该半导体覆晶接合结构包括一第一半导体元件、一第一介金属化合物、一第二半导体元件、一第二介金属化合物及一焊料层。该第一介金属化合物邻接于该第一半导体元件的金属柱。该第二介金属化合物邻接于该第二半导体元件的电性接点。该焊料层位于该第一介金属化合物及该第二介金属化合物之间。藉此，可有效提高可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN102800641B | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201210278913.0 | 申请日期 | 2012.08.07 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 萧友享;高金利;邱盈达;林光隆;李秋雯;杨秉丰;李长祺 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
| 主权项 | 一种半导体覆晶接合结构，包括：一第一半导体元件，具有一金属柱；一第一介金属化合物，直接位于该金属柱上；一第二半导体元件，具有一电性接点；一第二介金属化合物，邻接于该电性接点；及一焊料层，位于该第一介金属化合物及该第二介金属化合物之间，其中该金属柱的材质为铜，该第一介金属化合物直接接触该铜金属柱，且该第一介金属化合物的材质与该第二介金属化合物的材质相同，及其中该第一介金属化合物的材质与该第二介金属化合物的材质皆为(Cu,Ni)<sub>6</sub>Sn<sub>5</sub>。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 | ||