| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 半导体装置包括包含设置在沟道宽度方向上且彼此平行的多个沟道形成区的氧化物半导体层、以栅极绝缘层位于栅电极层与沟道形成区之间的方式覆盖各沟道形成区的侧面及顶面的栅电极层。通过采用该结构，电场从侧面方向及顶面方向施加到各沟道形成区。由此，可以良好地控制晶体管的阈值电压并改善S值。另外，通过具有多个沟道形成区，可以增加晶体管的有效沟道宽度，由此可以抑制通态电流的下降。 | ||
| 申请公布号 | CN105009299A | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201480014341.2 | 申请日期 | 2014.03.10 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 叶晓勇;姜甜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：第一氧化物层；包括第一沟道形成区和第二沟道形成区的氧化物半导体层，该氧化物半导体层与所述第一氧化物层的顶面接触；与所述氧化物半导体层的顶面接触的第二氧化物层；与所述氧化物半导体层电连接的源电极层和漏电极层；覆盖所述第一沟道形成区的侧面和顶面以及所述第二沟道形成区的侧面和顶面的栅电极层；以及所述氧化物半导体层与所述栅电极层之间的栅极绝缘层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||