发明名称 Band-pass filter cell, with broad range of retuning to the input circuits of microwave radio receivers, preferably the programmed radio receivers
摘要 <p>Ogniwo zbudowane w technologii mikropaskowej z czterech diod pojemnościowych w oprawkach, połączonych przeciwsobnie w dwie pary, charakteryzuje się tym, że pierwsza dioda (D1), druga dioda (D2) oraz ścieżki połączeniowe (LT2), (LT3), (LT4) tworzą pierwszy rezonator szeregowy (RS1), a trzecia dioda (D3), czwarta dioda (D4) oraz ścieżki połączeniowe (LT5), (LT6), (LT7) tworzą drugi rezonator szeregowy (RS2), które to rezonatory włączone są w ogniwo filtru o sprzężeniach galwanicznych w taki sposób, że wejście (WE) układu stanowi jeden z końców pierwszej linii mikropaskowej (LT1), której drugi koniec dołączony jest do pierwszego zacisku pierwszego rezonatora (RS1) i pierwszego zacisku pierwszej cewki (L1), wykonanej jako mostek z drutu, której drugi zacisk dołączony jest do pierwszego zacisku drugiej cewki (L2), wykonanej jako przelotka do masy i do drugiego zacisku drugiego rezonatora (RS2), którego pierwszy zacisk dołączony jest do drugiego końca drugiej linii mikropaskowej (LT8) i pierwszego zacisku trzeciej cewki (L3), wykonanej jako mostek z drutu, której drugi zacisk dołączony jest do drugiego zacisku pierwszego rezonatora (RS1) i do pierwszego zacisku czwartej cewki (L4), wykonanej jako przelotka do masy, drugi zacisk czwartej cewki (L4) i drugi zacisk drugiej cewki (L2) podłączone są do masy układu a wyjście (WY) układu stanowi pierwszy koniec drugiej linii mikropaskowej (LT8), napięcie służące do przestrajania diod podawane jest na rezonatory (RS1), (RS2) przez rezystory w miejscu połączenia poszczególnych par diod.</p>
申请公布号 PL407888(A1) 申请公布日期 2015.10.26
申请号 PL20140407888 申请日期 2014.04.14
申请人 POLITECHNIKA &Sacute,L&Aogon,SKA 发明人 MAGNUSKI MIROS&Lstrok,AW;SURMA MACIEJ;WÓJCIK DARIUSZ
分类号 H04B1/18;H03H5/12;H03J3/28 主分类号 H04B1/18
代理机构 代理人
主权项
地址