OPTICAL SENSOR ELEMENT IMAGING DEVICE ELECTRONIC EQUIPMENT AND MEMORY ELEMENT
摘要
<p>게이트 전극이 게이트 절연막을 거쳐서, 산화물 반도체로 이루어지는 반도체층과 상대(相對; oppose)하고 있고, 상기 반도체층에 소스 전극 및 드레인 전극이 접속된 광센서 소자에 있어서, 반도체층에 의해 수광되는 광량(반도체층에서의 수광량)을, 게이트 전압에 대해 불휘발적으로 변화한 드레인 전류값(drain current)으로서 판독출력(讀出; read out)한다.</p>
