| 发明名称 | 半导体衬底的制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体衬底的制造方法，包括以下步骤，提供硅制成的第1衬底，对衬底硅多孔化，使第1衬底上有多孔硅层，在多孔硅层上外延生长无孔单晶硅层，将第1衬底层叠在第2衬底上，使第1和第2衬底的至少一层叠面有氧化硅层，并使无孔单晶硅层位于层叠的衬底之间，腐蚀除去多孔硅层，其中用腐蚀无孔单晶硅层和氧化硅层各自的腐蚀速率不大于10/分钟的腐蚀液腐蚀多孔硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1149758A | 申请公布日期 | 1997.05.14 |
| 申请号 | CN96111711.7 | 申请日期 | 1996.07.12 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 山方宪二;米原隆夫;佐藤信彦;坂口清文 |
| 分类号 | H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.半导体衬底的制造方法，包括以下步骤：提供硅制成的第1衬底，使衬底硅多孔化，在第1衬底上有多孔硅层，在多孔硅层上外延生长无孔单晶硅层，把第1衬底叠放于第2衬底上，使第1和第2衬底的至少一个叠层面上有氧化硅层，并使无孔单晶硅层位于层叠的衬底之间，腐蚀除去多孔硅层，其中，用腐蚀无孔单晶硅层和氧化硅层的各腐蚀速率不超过10/分钟的腐蚀液腐蚀除去多孔硅层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||