| 摘要 |
<p>선폭 60㎚ 이하의 미세한 패턴 형성에 있어서, 감도, 해상력, LWR, 및 패턴 형상이 우수한 패턴 형성 방법, 조성물 키트, 그것을 이용한 레지스트막, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스를 제공한다. (i) 감전자선성 또는 감극자외선성 수지 조성물을 이용해서 기판 상에 막을 형성하는 공정, (ii) 상기 막 상에, 하기 일반식(I-1)~일반식(I-5)으로 나타내어지는 반복 단위 중 적어도 어느 하나를 갖는 수지(T)를 함유하는 톱코트 조성물을 이용해서 톱코트층을 형성하는 공정, (iii) 상기 톱코트층을 갖는 상기 막을 전자선 또는 극자외선을 이용해서 노광하는 공정, 및 (iv) 상기 노광 후, 상기 톱코트층을 갖는 상기 막을 현상해서 패턴을 형성하는 공정을 갖는 패턴 형성 방법.</p> |
