| 摘要 |
<p>Eine Ausführungsform betrifft das Bilden eines EPI-Films auf einem Substrat, wobei der EPI-Film eine von dem Substrat verschiedene Gitterkonstante aufweist. Der EPI-Film und das Substrat können verschiedene Materialien beinhalten, um kollektiv eine Heteroepitaxial-Vorrichtung zu bilden, die zum Beispiel ein Si- und/oder SiGe-Substrat und einen III-V- oder Gruppe-IV-Film aufweist. Der EPI-Film kann einer von mehreren EPI-Schichten oder Filmen sein und die Filme können von einander verschiedene Materialien beinhalten und können einander unmittelbar kontaktieren. Ferner können die mehreren EPI-Schichten bezüglich Dotierungskonzentration und/oder Dotierungpolarität voneinander unterschiedlich dotiert sein. Eine Ausführungsform beinhaltet das Erzeugen einer horizontal ausgerichteten Heteroepitaxialstruktur. Eine weitere Ausführungsform beinhaltet eine vertikal ausgerichtete Heteroepitaxialstruktur. Die Heteroeptiaxialstrukturen können zum Beispiel unter anderem einen Bipolartransistor, einen Heteroübergang-Bipolartransistor, einen Thyristor und einen Tunnelfeldeffekttransistor beinhalten. Andere Ausführungsformen werden hier beschrieben.</p> |
| 申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
CHU-KUNG, BENJAMIN;LE, VAN H.;DASGUPTA, SANSAPTAK;DEWEY, GILBERT;KAVALIEROS, JACK T.;METZ, MATTHEW V.;PILLARISETTY, RAVI;CHAU, ROBERT S.;GOEL, NITI;MUKHERJEE, NILOY;RACHMADY, WILLY;RADOSAVLJEVIC, MARKO;THEN, HAN WUI;ZELICK, NANCY M. |
