| 摘要 |
<p>Halbleiterbauelement (110, 210, 310, 410, 510, 610) umfassend einen Halbleiterkörper (20) eines ersten Leitungstyps, eine Metallschicht (30) an dem Halbleiterkörper, wobei die Metallschicht mit dem Halbleiterkörper einen Schottkykontakt entlang einer Kontaktfläche (134, 234, 334, 634) ausbildet, wobei eine Dotierungskonzentration des ersten Leitungstyps an der Kontaktfläche (134, 234, 334, 634) entlang einer Richtung der Kontaktfläche variiert, wodurch die n-Dotierung in höher dotierten Bereichen (142, 242, 342, 442, 542, 642) an der Kontaktfläche entlang einer Richtung der Kontaktfläche lokal erhöht wird, wobei der Halbleiterkörper (20) Siliziumkarbid (SiC) umfasst und wobei der zumindest eine höher dotierte Bereich 142, 242, 342, 442, 542, 642) eine Tiefe in einer Richtung senkrecht zur Kontaktfläche von ungefähr 100 nm oder weniger aufweist.</p> |
