Verfahren zum Herstellen einer vergrabenen Materialschicht in einem Halbleiterkörper und Halbleiteranordnung mit einer vergrabenen Materialschicht

摘要

Verfahren zum Herstellen einer vergrabenen Materialschicht in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (100) mit einer ersten Oberflächen (101) und mit einer Vielzahl von ersten Gräben (10), die sich von der ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) erstreckt, wobei die ersten Gräben (10) jeweils einen Boden (11) und wenigstens eine Seitenwand (12, 13) aufweisen; Herstellen einer ersten Materialschicht (21) am Boden (11) jedes der Vielzahl der ersten Gräben (10), wobei die Materialschicht (21) wenigstens einen Abschnitt wenigstens einer Seitenwand (12, 13) unbedeckt lässt; Auffüllen jedes der Vielzahl der ersten Gräben (10) durch epitaktisches Aufwachsen eines Halbleitermaterials auf den wenigstens einen unbedeckten Abschnitt der Seitenwand (12, 13); und nach Auffüllen der ersten Gräben (10): a) Herstellen von zweiten Gräben (50) in den Mesagebieten (41) wenigstens einmal, wobei die zweiten Gräben (50) sich ausgehend von der ersten Oberfläche (101) in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper (100) hinein erstrecken und jeweils einen Boden (51) und wenigstens eine Seitenwand aufweisen; b) Herstellen von zweiten Materialschichten (23) am Boden (51) der zweiten Gräben (50), wobei die zweiten Materialschichten (23) wenigstens einen Abschnitt wenigstens einer Seitenwand jedes der zweiten Gräben (50) unbedeckt lassen; c) Auffüllen der zweiten Gräben (50) durch epitaktisches Aufwachsen eines Halbleitermaterials auf wenigstens einen unbedeckten Seitenwandabschnitt jedes zweiten Grabens (5).