发明名称 Speicherbauelemente und Programmierverfahren
摘要 <p>Programmierverfahren für ein Speicherbauelement mit einer Mehrzahl von Speicherblöcken, die jeweils ein Hauptfeld (110M) und ein Ersatzfeld (110S) beinhalten, mit folgenden Schritten zur Durchführung eines Mehrseitenprogrammiervorgangs:–Erzeugen einer ersten Adresse, um in Reaktion auf eine Mehrseitenprogrammieranforderung eine Zeile eines jeden Speicherblocks auszuwählen,–Empfangen und Zwischenspeichern von zweiten Adressen zur Auswahl eines jeweiligen Speicherblocks, bis alle zweiten Adressen der auszuwählenden Speicherblöcke empfangen und zwischengespeichert sind, und–Auswählen der Speicherblöcke, welche mit den zwischengespeicherten zweiten Adressen korrespondieren, um gleichzeitig die gleichen Zeilen der entsprechenden ausgewählten Speicherblöcke in Reaktion auf die erste Adresse zu aktivieren und hauptfeldbezogene Informationsdaten gleichzeitig in die Ersatzfelder der ausgewählten Speicherblöcke zu programmieren.</p>
申请公布号 DE102005035084(B4) 申请公布日期 2015.10.22
申请号 DE20051035084 申请日期 2005.07.20
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 JO, SEONG-KUE
分类号 G11C16/10;G11C16/04;G11C16/16 主分类号 G11C16/10
代理机构 代理人
主权项
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