发明名称 | 半导体元件 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI505467 | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
申请号 | TW100120388 | 申请日期 | 2011.06.10 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 王智充;徐尉伦;吴德源;李文芳;林克峰;黄善禧;李明宗 |
分类号 | H01L29/78;H01L27/04 | 主分类号 | H01L29/78 |
代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
主权项 | 一种半导体元件,包含有:一基底,具有一第一导电类型,且该基底具有一高压区以及一低压区;一第一深井区,设于该高压区之该基底中,且该第一深井区具有不同于该第一导电类型之一第二导电类型;一第一高压井区,设于该高压区与该低压区之间之该基底中,且该第一高压井区具有该第一导电类型;以及一第一掺杂区,设于该第一高压井区中,且具有该第二导电类型,其中该第一掺杂区与该第一高压井区电性连接至一接地端。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |