掺杂ZrO2之电容器材料及结构，制造介电材料结构的方法，及制造微电子装置的方法

主权项

一种复合介电材料，包括：(a)一前期过渡金属或前期过渡金属氧化物基底材料；(b)一掺杂、共沉积、合金化或层叠用之第二材料，其中该第二材料是选自由下列材料所构成的群组：多种掺杂材料，该等掺杂材料选自于铌(Nb)、锗(Ge)、钽(Ta)、镧(La)、钇(Y)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钆(Gd)、镝(Dy)、锶(Sr)、钡(Ba)、钙(Ca)、该些金属之氧化物及氧化铝的群组中；多种共沉积材料，该等共沉积材料选自于锗(Ge)、镨(Pr)、钕(Nd)、钆(Gd)、镝(Dy)、钙(Ca)、及该些金属之氧化物的群组中；多种合金化材料，该等合金化材料选自于锗(Ge)、镨(Pr)、钕(Nd)、钆(Gd)、镝(Dy)、钙(Ca)、及该些金属之氧化物的群组中，且当该基底材料包含钒(V)、铬(Cr)、钼(Mo)、鎝(Tc)与铼(Re)之一者或多者时，那麽该等合金化材料额外地选自于铌(Nb)、钽(Ta)、镧(La)、锶(Sr)、钡(Ba)、该些金属之氧化物及氧化铝的群组中；以及多种层叠用材料，该等层叠用材料选自于锗(Ge)、镨(Pr)、钕(Nd)、钆(Gd)、镝(Dy)、钙(Ca)、及该些金属之氧化物的群组中，且当该基底材料包含钒(V)、铬(Cr)、钼(Mo)、鎝(Tc)与铼(Re)之一者或多者时，那麽该等层叠用材料额外地选自于铌(Nb)、钽(Ta)、镧(La)、锶(Sr)、
钡(Ba)、及该些金属之氧化物的群组中。