发明名称 电阻性记忆体器件及形成该器件之方法
摘要
申请公布号 TWI505285 申请公布日期 2015.10.21
申请号 TW098105699 申请日期 2009.02.23
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 柳庚昶;金亨俊;林东源;吴在熙;朴正勋
分类号 G11C7/12;G11C7/18 主分类号 G11C7/12
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种电阻性记忆体器件,其包含:一电阻性记忆体元件,其在一基板上;一位元线,其在该电阻性记忆体元件上;一上部接线柱,其在该电阻性记忆体元件上及外部,该上部接线柱含有与该位元线相同之材料且具有一处于高于该位元线之一下部表面之位准的下部表面,并具有一与该位元线之一上部表面大体上共平面的上部表面;以及一在该基板与该上部接线柱之间的下部接线柱,该下部接线柱与该上部接线柱连接,且由一不同于该上部接线柱之材料形成,其中,介于该上部接线柱与该下部接线柱之间的一接面,被配置为低于该位元线之上部表面且高于该位元线之下部表面。
地址 南韩