发明名称 |
一种适用于OTP存储器的电源切换电路 |
摘要 |
本发明提供一种适用于OTP存储器的电源切换电路,包括:衬底切换模块、电源切换模块、第一电压输入端、第二电压输入端以及电压输出端;其中所述衬底切换模块包括:第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及弱下拉器件,由衬底切换模块实现所有PMOS管的衬底始终连接到第一电压输入端和第二电压输入端中的最高电位;所述电源切换模块包括:第一PMOS管和第二PMOS管,由电源切换模块实现电压输出端始终连接到第一电压输入端和第二电压输入端中的最高电位。本发明中的所有PMOS管的Vgs,Vgd,Vds都在耐压要求范围内,通过本发明的电源切换电路,针对OTP存储器电路的特殊需求,以简洁实用的方式,使用低压MOS管来实现高压电源的传送,节省了芯片面积和成本,提高了电路性能。 |
申请公布号 |
CN104993574A |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201510392355.4 |
申请日期 |
2015.07.06 |
申请人 |
上海巨微集成电路有限公司 |
发明人 |
陈建兴 |
分类号 |
H02J9/06(2006.01)I |
主分类号 |
H02J9/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
唐棉棉 |
主权项 |
一种适用于OTP存储器的电源切换电路,其特征在于,所述适用于OTP存储器的电源切换电路至少包括:衬底切换模块、电源切换模块、第一电压输入端、第二电压输入端以及电压输出端;其中,所述衬底切换模块包括:第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及弱下拉器件;所述第五PMOS管的漏端与第四PMOS管的漏端连接至衬底;所述第五PMOS管的栅端与第三PMOS管的漏端相连,并通过所述弱下拉器件与地连接;所述第五PMOS管的源端、第四PMOS管的栅端和第三PMOS管的栅端均与所述第一电压输入端相连;所述第四PMOS管的源端和第三PMOS管的源端均与所述第二电压输入端相连;所述电源切换模块包括:第一PMOS管和第二PMOS管;所述第一PMOS管的源端连接至第二电压输入端;所述第一PMOS管的栅端和所述第二PMOS管的源端连接至第一电压输入端;所述第一PMOS管的漏端和第二PMOS管的漏端连接至电压输出端;所述第二PMOS管的栅端与所述第五PMOS管的栅端以及第三PMOS管的漏端相连,并通过所述弱下拉器件与地连接。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区祖冲之路2305号B幢808室 |