发明名称 |
SiC外延晶片的制造方法 |
摘要 |
本发明提高在第1温度和第2温度下进行SiC外延生长时、可以抑制升温中的台阶聚束等的表面缺陷的产生的SiC外延晶片的制造方法。具备:向以带有不足5°的偏离角的4H-SiC(0001)作为主面的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在1480℃以上1530℃以下的第1温度进行第1外延生长的第1工序;停止Si供给气体和C供给气体的供给、将SiC块状衬底从第1温度向第2温度升温的第2工序;向在第2工序中被升温了的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在第2温度下进行第2外延生长的第3工序。 |
申请公布号 |
CN104995718A |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201380072880.7 |
申请日期 |
2013.12.26 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
富田信之;三谷阳一郎;田中贵规;川畑直之;丰田吉彦;黑岩丈晴;浜野健一;大野彰仁;越智顺二;川津善平 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
贾成功 |
主权项 |
一种SiC外延晶片的制造方法,具备:向以带有不足5°的偏离角的4H‑SiC(0001)作为主面的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在为1480℃以上1530℃以下的第1温度下进行第1外延生长的第1工序;停止所述Si供给气体和所述C供给气体的供给、将所述SiC块状衬底从所述第1温度升温至比所述第1温度高的第2温度的第2工序;和向在所述第2工序中被升温了的所述SiC块状衬底上供给所述Si供给气体和所述C供给气体、在所述第2温度下进行第2外延生长的第3工序。 |
地址 |
日本东京 |