半导体装置之制造方法

主权项

一种半导体装置之制造方法，包括下述步骤：在具有绝缘表面的基板之上形成闸极电极层；在该闸极电极层之上形成闸极绝缘层；在该闸极绝缘层之上形成氧化物半导体层；在形成该氧化物半导体层之后，对该氧化物半导体层执行第一热处理；在该氧化物半导体层之上形成源极电极层和汲极电极层；在该氧化物半导体层之上形成绝缘层；以及在形成该绝缘层之后，对该氧化物半导体层执行温度上升及下降重复多次的第二热处理，其中，该第二热处理的温度系低于该第一热处理的温度。