| 发明名称 | 挤压电阻及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种挤压电阻及其制造方法，所述挤压电阻包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的高压阱，位于所述外延层内；第二掺杂类型的深阱，位于所述高压阱内；第一掺杂类型的第一阱，与所述高压阱并列地位于所述外延层内；漏极欧姆接触区，位于所述深阱内；挤压电阻欧姆接触区，位于所述外延层内。本发明的挤压电阻能够容易地与高压晶体管等器件集成，有利于节省版图面积，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104993050A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201510306765.2 | 申请日期 | 2015.06.05 |
| 申请人 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 发明人 | 姚国亮;张邵华;吴建兴 |
| 分类号 | H01L49/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L49/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张振军 |
| 主权项 | 一种挤压电阻，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的高压阱，位于所述外延层内；第二掺杂类型的深阱，位于所述高压阱内；第一掺杂类型的第一阱，与所述高压阱并列地位于所述外延层内；漏极欧姆接触区，位于所述深阱内；挤压电阻欧姆接触区，位于所述外延层内。 | ||
| 地址 | 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号 | ||