一种氧化物半导体TFT阵列基板及其制备方法

摘要

本发明涉及显示器设计领域，公开了一种氧化物半导体TFT阵列基板及其制备方法。该方法包括：在不破坏真空条件下连续沉积氧化物半导体有源层及透明导电层，和通过一次构图工艺形成有源层图形和透明导电层的图形。该方法避免了在制造过程中氧化物半导体长时间暴露在环境中导致的器件信赖度下降，且透明导电层与氧化物半导体有源层直接接触，降低了接触电阻，从而提高了氧化物半导体有源层的导通电流，进而降低了其显示装置的驱动电压和功耗，并提高了产品的使用稳定性。

主权项

一种氧化物半导体TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在不破坏真空条件下连续沉积氧化物半导体有源层及透明导电层；通过一次构图工艺形成有源层图形和透明导电层的图形。