发明名称 发光二极体的电极结构
摘要
申请公布号 TWI505506 申请公布日期 2015.10.21
申请号 TW101142170 申请日期 2012.11.13
申请人 联胜光电股份有限公司 发明人 颜伟昱;陈复邦;张智松
分类号 H01L33/36 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人 黄志扬 台北市中山区长安东路1段23号10楼之1
主权项 一种发光二极体的电极结构,应用于一发光二极体结构,该发光二极体结构包含依序堆叠的一本质半导体层、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一反射层、一缓冲层、一结合层、一永久基板与一P型电极,其包含:复数盲孔,该N型半导体层包含一第一N型半导体层与一第二N型半导体层,该复数盲孔具一图案分布,且该复数盲孔贯穿该本质半导体层到达该第一N型半导体层并形成一不规则接触面;复数N型金属电极,该复数N型金属电极分别穿过该复数盲孔而与该N型半导体层接触。
地址 台中市西屯区科园三路8号