发明名称 |
晶圆级芯片封装结构 |
摘要 |
本发明公开了一种晶圆级芯片封装结构,包括金属凸点,所述金属凸点上设有阻挡层,所述阻挡层上设有焊球,所述铜柱的外围设有塑封料,所述阻挡层位于所述塑封层以外,所述阻挡层相对于所述塑封层的上表面凸起设置。本发明在晶圆级芯片封装结构中,增加一层阻挡层,可以有效阻止金属间化合物的不利影响。对于产品的电性能和机械性能有明显提高。 |
申请公布号 |
CN104992936A |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201510255996.5 |
申请日期 |
2015.05.19 |
申请人 |
南通富士通微电子股份有限公司 |
发明人 |
丁万春 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 |
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 |
代理人 |
孟阿妮;郭栋梁 |
主权项 |
一种晶圆级芯片封装结构,包括金属凸点,其特征在于,所述金属凸点上设有阻挡层,所述阻挡层上设有焊球,所述金属凸点的外围设有塑封层,所述阻挡层位于所述塑封层以外,所述阻挡层相对于所述述塑封层的上表面凸起设置。 |
地址 |
226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 |