发明名称 晶圆级芯片封装结构
摘要 本发明公开了一种晶圆级芯片封装结构,包括金属凸点,所述金属凸点上设有阻挡层,所述阻挡层上设有焊球,所述铜柱的外围设有塑封料,所述阻挡层位于所述塑封层以外,所述阻挡层相对于所述塑封层的上表面凸起设置。本发明在晶圆级芯片封装结构中,增加一层阻挡层,可以有效阻止金属间化合物的不利影响。对于产品的电性能和机械性能有明显提高。
申请公布号 CN104992936A 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201510255996.5 申请日期 2015.05.19
申请人 南通富士通微电子股份有限公司 发明人 丁万春
分类号 H01L23/485(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人 孟阿妮;郭栋梁
主权项 一种晶圆级芯片封装结构,包括金属凸点,其特征在于,所述金属凸点上设有阻挡层,所述阻挡层上设有焊球,所述金属凸点的外围设有塑封层,所述阻挡层位于所述塑封层以外,所述阻挡层相对于所述述塑封层的上表面凸起设置。
地址 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号
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