发明名称 |
利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法 |
摘要 |
本发明公开了一种利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法,涉及半导体激光器技术领域。本方法是将宽条大功率激光器芯片的注入电极分成若干个1微米-5微米的微元,通过离子注入、介质掩蔽等手段控制各微元的电流注入或不注入。通过电流场、光场、热场三者间的耦合计算,设计合理微区注入电流分布,以实现宽条激光器内部光场相位的稳定;各独立微区的电流注入并且各微区按位置满足某种伪随机码的控制,并且总体满足注入电流的区域分布。从而实现慢轴发散角降低,光场特性稳定的功能,并且对半导体激光器的转换效率和单元输出功率水平无明显影响。 |
申请公布号 |
CN104993373A |
申请公布日期 |
2015.10.21 |
申请号 |
CN201510433104.6 |
申请日期 |
2015.07.22 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十三研究所 |
发明人 |
赵润;张晓光 |
分类号 |
H01S5/06(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/068(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/06(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄国为知识产权事务所 13120 |
代理人 |
米文智 |
主权项 |
一种利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法,其特征在于所述方法如下:将半导体激光器芯片(1)的注入电极(2)分成若干个矩形微元(3),定义每个矩形微元(3)为电流注入区还是非电流注入区以及电流注入区的导电特性。 |
地址 |
050051 河北省石家庄市合作路113号 |