常压有机金属气相沉积提供ｐ型矽晶片表面钝化之方法

主权项

一种常压有机金属气相沉积提供p型矽晶片表面钝化之方法，其步骤包含：清洗p型矽晶片基板；于一反应腔体通入由盐酸与氢气组成的第一混合气体，以1100~1200℃对该p型矽晶片基板进行热处理；再于该反应腔体通入由氧气、氮气与三甲基铝组成的乾式混合气体，于该p型矽晶片基板形成氧化铝薄膜，形成时间介于8~17分钟之间；于该反应腔体通入由氢气和氮气组成的第二混合气体，以400~500℃对该p型矽晶片基板做回火处理，5~30分钟，完成钝化的p型矽晶片基板。