基于一维半导体纳米材料的光电颜色传感器及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于一维半导体纳米材料的光电颜色传感器及其制备方法。该光电颜色传感器包含至少两个光谱响应特性不同的传感器单元，传感器单元以一维半导体纳米材料作为吸光材料和导电通道；一维半导体纳米材料两端是两个不同种金属材料做成的电极，其中一个金属电极由金、钯等高功函数金属制成，另一个金属电极由钪、钇、镧、铝等低功函数金属制成。所述一维半导体纳米材料优选采用碳纳米管，通过使多壁碳纳米管的外层剥离，剥离程度不同的沟道即有不同的光谱响应，或者采用定位沉积等方法将光谱响应不同的碳纳米管分别沉积在不同单元区域，然后制作电极。本发明可以极大地降低传统材料实现中的串扰，并提高稳定性和光谱响应范围。

主权项

一种光电颜色传感器，其特征在于，包含至少两个光谱响应特性不同的传感器单元，所述传感器单元以一维半导体纳米材料作为吸光材料和导电通道，所述一维半导体纳米材料的两端采用不同种金属材料的电极。