一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射技术。包括以下步骤：（1）准备金属钒靶、氩气和氧气气体；磁控溅射仪至少包括样品准备腔和生长腔这两个真空腔室，生长腔室抽真空至4.5×10^-4Pa以下；（2）只通入Ar气体，设定溅射功率，清洗金属钒靶表面的氧化部分和一些污染物杂质；（3）衬底加热并保温10分钟左右；（4）通入氩气和氧气气体，其比率为10：1，调节真空室压强在1Pa，启动射频溅射工作源，溅射功率为40W，开始溅射；（5）薄膜生长至要求厚度后，关闭加热电源，使样品自然冷却，在此过程，打开真空阀，分子泵保持打开状态。本发明制备的薄膜具有良好的结构和电阻－温度系数。

主权项

一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射技术，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用纯度大于等于99.9％的金属钒靶，准备氩气和氧气气体；磁控溅射仪至少包括样品准备腔和生长腔这两个真空腔室，生长腔室抽真空至4.5×10^‑4Pa以下；(2)靶材预溅射：只通入Ar气体，设定溅射功率，清洗金属钒靶表面的氧化部分和一些污染物杂质；(3)衬底升温到要求温度，并保温10分钟左右，以达到平衡状态，所述衬底温度低于500℃，生长窗口温度在350到450℃之间；(4)通入氩气和氧气气体，其比率为10：1，调节真空室压强在1Pa，启动射频溅射工作源，溅射功率为40W，开始溅射；(5)薄膜生长速率为200nm/h,生长至要求厚度后，关闭加热电源，使样品自然冷却，在此过程，打开真空阀，分子泵保持打开状态。