发明名称 氧化物薄膜电晶体,薄膜电晶体之制造方法,具有薄膜电晶体之显示装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI505470 申请公布日期 2015.10.21
申请号 TW101149202 申请日期 2012.12.21
申请人 乐金显示科技股份有限公司 发明人 徐铉植;金汶九;金峰澈;李政训;柳昌逸
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 许世正 台北市信义区忠孝东路5段412号4楼
主权项 一种有极发光二极体显示装置,系包含:一底基板,其上定义一非画素区域以及一发光区域;一薄膜电晶体(TFT),系形成于该底基板的该非画素区域中并且包含:一闸极,形成于具有该闸极的该底基板之全部表面上的一闸极绝缘层,形成于该闸极上方的该闸极绝缘层上且与该闸极完全地重叠的一主动层图案,形成于该主动层图案与该闸极绝缘层上的一蚀刻停止层图案,一源极及一汲极,形成于具有该蚀刻停止层图案与该主动层图案的该闸极绝缘层上且彼此相间隔,以及与该蚀刻停止层图案以及下方的该主动层图案之两侧相重叠;一钝化层,系形成于具有该薄膜电晶体(TFT)的该底基板的该全部表面上;复数个彩色滤光层,系形成于该底基板的该发光区域的该钝化层上;一虚拟彩色滤光层图案,系形成于该底基板的该非画素区域之该钝化层上;一有机绝缘层,系形成于具有该等彩色滤光层与该虚拟彩色滤光层图案的该底基板之该全部表面上;汲极接触孔,系形成于该有机绝缘层、该虚拟彩色滤光层图案、以及该钝化层上,以及暴露该薄膜电晶体(TFT)之该汲极;一第一电极,系形成于该有机绝缘层上且通过该汲极接触孔与该汲极电连接; 一堤层,系形成于该底基板的该非画素区域之该有机绝缘层上;一有机发光层,系形成于具有该第一电极的该底基板之该全部表面上;以及一顶基板,系附加至该有机发光层的一顶部且其上形成有一第二电极。
地址 南韩
您可能感兴趣的专利