| 摘要 |
1. Полупроводниковый биполярный транзистор, состоящий из полупроводниковой подложки, включающей активную область; полевого изолятора, окружающего активную область полупроводниковой подложки; коллектора; контактной области к коллектору; активной базы; возвышающейся пассивной базы, выполняющей функции базового контакта, отличающийся тем, что кремний-германиевая активная база и возвышающаяся пассивная база, выполняющая функции базового контакта, полностью расположены над активной областью, а коллектор распространяется на глубину, превышающую глубину полевого изолятора, содержит контакты к коллектору, расположенные симметрично относительно возвышающейся пассивной базы, выполняющей функции базового контакта, в любом сечении прибора плоскостью, перпендикулярной поверхности подложки и проходящей через эмиттер.2. Полупроводниковый биполярный транзистор по п. 1, отличающийся тем, что изолирующий базу от коллектора диэлектрический слой состоит из одного материала - диоксида кремния и не требует дополнительных внутренних спейсеров на границе с активной базой.3. Полупроводниковый биполярный транзистор по п. 1, отличающийся тем, что он выполнен на высокоомной кремниевой подложке ориентации (100) p-типа проводимости. |
