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半导体之配置及其形成方法;SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND FORMATION THEREOF
摘要
本文提供半导体配置及其形成方法。半导体配置包括:与第一主动区域之基本上平坦的顶表面接触的导电接触,此接触系介于具有基本上垂直之外侧表面的第一对位间隔物及第二对位间隔物之间并与其接触。相较形成于不具有基本上垂直之外侧表面的对位间隔物之间的接触,形成于第一对位间隔物及第二对位间隔物之间的接触具有更希望的接触形状。相较于非基本上平坦的主动区域,第一主动区域基本上平坦的表面是表示第一主动区域基本上未受损的结构。相较于受损的第一主动区域,基本上未受损的第一主动区域对于接触具有更大的接触面积。
申请公布号
TW201539741
申请公布日期
2015.10.16
申请号
TW103146213
申请日期
2014.12.30
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人
杨岱宜 YANG, TAI I;林天禄 LIN, TIEN LU;连万益 LIEN, WAI YI;王志豪 WANG, CHIH HAO;吴俊鹏 WU, JIUN PENG
分类号
H01L29/41(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/3213(2006.01)
主分类号
H01L29/41(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW
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