发明名称 电子元件及其制作方法;ELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 一种电子元件的制作方法,包括:提供一基板;在基板上形成一源极与一汲极;在基板上形成一半导体层;在半导体层上形成一第一光敏材料层;利用一第一曝光显影制程将第一光敏材料层的一第一部分移除,而留下第一光敏材料层的一第二部分以作为一第一闸绝缘层;将半导体层图案化,以形成一位于第一闸绝缘层下的通道层;在基板上形成一第二光敏材料层;利用一第二曝光显影制程将第二光敏材料层的一第三部分移除,以暴露出至少部分第一闸绝缘层;以及在第一闸绝缘层上形成一第一闸极。一种电子元件亦被提出。; forming a source and a drain on the substrate; forming a semiconductor layer on the substrate; forming a first light sensitive material layer on the semiconductor layer; removing a first portion of the first light sensitive material layer by a first exposure and develop process and maintaining a second portion of the first light sensitive material layer to serve as a first gate insulation layer; patterning the semiconductor layer to form a channel layer below the first gate insulation layer; forming a second light sensitive material layer on the substrate; removing a third portion of the second light sensitive material layer by a second exposure and develop process to expose at least a part of the first gate insulation layer; and forming a first gate on the first gate insulation layer. An electronic device is also provided.
申请公布号 TW201539756 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW103112718 申请日期 2014.04.07
申请人 纬创资通股份有限公司 WISTRON CORPORATION 发明人 彭玉容 PENG, YU JUNG;谢芯瑀 HSIEH, HSIN YU;王怡凯 WANG, YI KAI
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗詹东颖刘亚君
主权项
地址 新北市汐止区新台五路1段88号21楼 TW