用于形成多晶矽之方法;METHOD FOR FORMING POLYSILICON

摘要

本发明系关于一种在半导体基板上形成多晶矽之方法，其包括在半导体基板上提供非晶矽，将至少一区域的该非晶矽曝露于第一雷射光束及第二雷射光束，其特征在于，在将该区域曝露于第二雷射光束期间，关于该区域没有雷射光束的位移发生。此外，本发明系关于将此类方法用于制造大粒多晶矽之用途。特别是，本发明系关于将此类方法用于制造直向晶粒(vertical grain)多晶矽之用途。另外，本发明系关于将此类方法用于制造感测器、MEMS、NEMS、不变性记忆体、挥发性记忆体、NAND快闪、DRAM、多晶矽接头(poly Si contact)及互连(interconnect)之用途。