发明名称 电浆蚀刻方法及图案化基板的制造方法;PLASMA ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF PATTERNING SUBSTRATE
摘要 本发明的课题在于提供一种抑制蚀刻时的图案形状的不均匀性及缺陷产生,同时可以高产量进行处理的蚀刻方法。于电介质基体所具备的遮罩图案包括具有多个微细开口的图案区域、及图案区域以外的非图案区域时,以于基体载置结构部的特定位置载置电介质基体的情形时,图案区域的电介质基体的表面与基体载置结构部的特定电极的表面之间的平均相对介电常数大于非图案区域的平均相对介电常数的方式,对基体载置结构部的构成进行设定,且于基体载置结构部的特定位置载置电介质基体,于自大气压减压的气体环境下,产生电浆而对电介质基体进行蚀刻。
申请公布号 TW201539541 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104107286 申请日期 2015.03.06
申请人 富士软片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION 发明人 大津暁彦 OHTSU, AKIHIKO
分类号 H01L21/027(2006.01);H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址 日本 JP