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发明名称
用于非平面半导体装置架构的精密电阻器;PRECISION RESISTOR FOR NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE ARCHITECTURE
摘要
说明用于非平面半导体装置架构的精密电阻器。在第一范例中,半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。电阻器结构系配置于第一半导体鳍上面但未在第二半导体鳍上面。电晶体结构系形成自第二半导体鳍但非自第一半导体鳍。在第二范例中,半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。隔离区域系配置于基板上面、介于第一及第二半导体鳍之间,且在小于第一及第二半导体鳍的高度。电阻器结构系配置于隔离区域上面但未在第一及第二半导体鳍上面。第一及第二电晶体结构系分别形成自第一及第二半导体鳍。
申请公布号
TW201539712
申请公布日期
2015.10.16
申请号
TW104108118
申请日期
2013.09.04
申请人
英特尔股份有限公司 INTEL CORPORATION
发明人
叶正亚 YEH, JENG YA D.;泛德佛 彼德 VANDERVOORN, PETER J.;贺菲斯 瓦力德 HAFEZ, WALID M.;简嘉弘 JAN, CHIA-HONG;蔡 柯堤斯 TSAI, CURTIS;朴朱东 PARK, JOODONG
分类号
H01L27/06(2006.01);H01L21/02(2006.01)
主分类号
H01L27/06(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
美国 US
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