发明名称 |
INSULATION STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
본 발명의 목적은 기판 내나 기판 사이의 온도 균일성을 향상시키면서 노 내 온도를 신속하게 저하시켜서 스루풋을 향상시킬 수 있는 단열 구조체 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다. 외측에 배치된 측벽 외층과 내측에 배치된 측벽 내층에 의해 복수층 구조로 형성되는 측벽부; 상기 측벽 외층에 설치된 냉각 가스 공급구; 상기 측벽 내층과 상기 측벽 외층과의 사이에 설치되는 냉각 가스 통로; 상기 냉각 가스 공급구와 상기 냉각 가스 통로에 연설(連設)되는 제1 버퍼 영역; 상기 제1 버퍼 영역이 연설된 냉각 가스 통로의 타방에 연설되는 제2 버퍼 영역; 및 상기 제1 버퍼 영역 및 상기 제2 버퍼 영역 중 어느 일방 혹은 양방과 상기 냉각 가스 통로의 경계면의 단면적을 작게 하는 교축부;를 포함하는 단열 구조체가 제공된다. |
申请公布号 |
KR101560612(B1) |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
申请号 |
KR20150119927 |
申请日期 |
2015.08.26 |
申请人 |
가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 |
发明人 |
코스기 테츠야;타케와키 모토야;무라타 히토시;우에노 마사아키 |
分类号 |
H01L21/205;H01L21/22;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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