发明名称 具有导体回填之内嵌式熔丝;EMBEDDED FUSE WITH CONDUCTOR BACKFILL
摘要 内嵌式熔丝结构及制造技术。内嵌式熔丝可包括具有二个高z部分的非平面导电线,该等高z部分延伸至大于被设置于彼等之间的电流载送能力降低的低z部分的较大z高度。设置于该低z线部分之上的介电层具有与(熔丝接点可座落的)该等高z线部分同平面的顶表面。内嵌式熔丝的制造可包括底切被设置于基板之上的第一介电材料的区。该底切区以第二介电材料加衬。一对电接合熔丝端藉由以导电材料回填该已加衬底切区加以形成。在有利实施例中,熔丝制造相容于高K、金属闸极电晶体及精密多晶矽电阻器制造流程。
申请公布号 TW201539703 申请公布日期 2015.10.16
申请号 TW104100380 申请日期 2015.01.07
申请人 英特尔股份有限公司 INTEL CORPORATION 发明人 李呈光 LEE, CHEN GUAN;贺菲斯 瓦力德 HAFEZ, WALID M.;简 嘉弘 JAN, CHIA-HONG
分类号 H01L23/62(2006.01) 主分类号 H01L23/62(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国 US