SEMICONDUCTOR UNIT WITH SUBMOUNT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
<p>반도체 유닛은 서브 마운트 및 서브 마운트와 결합된 칩을 포함한다. 서브 마운트는 베이스 및 베이스와 칩 사이에 복수의 층들로 구성된다. 층들 중 하나인 열-방출 및 전기-전도성의 은(Ag) 층은 베이스 상부에 배치된다. 은(Ag) 층의 두께는 서브 마운트의 누적 열팽창계수가 실질적으로 칩의 열팽창계수와 매치되도록 선택된다. 칩의 활성영역과 결합되는 것은 탄성 가단성 재료로 만들어진 스트레스-덤핑 층이다.</p>
