| 摘要 |
본 발명은 이온 데미지 등이 적은 고품질의 막을 형성한다.원료 가스원에 접속되고, 원료 가스 공급 제어부가 설치되는 원료 가스 공급관을 포함하는 원료 가스 공급계; 반응 가스 공급관 및 불활성 가스 공급관을 포함하는 반응 가스 공급계로서, 상기 반응 가스 공급관은 반응 가스원에 접속되고, 상류부터 순서대로 반응 가스 공급 제어부, 플라즈마 생성부, 이온 포획부가 설치되는 것이고, 상기 불활성 가스 공급관은 상기 불활성 가스 공급관의 하류단이 상기 반응 가스 공급 제어부와 상기 플라즈마 생성부 사이의 상기 반응 가스 공급관에 접속되고 상기 불활성 가스 공급관의 상류단이 불활성 가스 공급원에 접속되며 불활성 가스 공급 제어부가 설치되는 것인 상기 반응 가스 공급계; 상기 원료 가스 공급계에 의하여 원료 가스를 공급받고 상기 반응 가스 공급계에 의하여 반응 가스를 공급받고, 피처리 기판을 수용하는 처리실; 및 적어도 상기 원료 가스 공급 제어부, 상기 반응 가스 공급 제어부 및 상기 불활성 가스 공급 제어부를 제어하는 제어부;를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다. |
